9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SURA8160T3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SURA8160T3G参考价格为0.08000美元。onsemi SURA8160T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A SMA。您可以下载SURA8160T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SURA8120T3G带有引脚细节，包括MURA115系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-65 C至+175 C，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在SMA供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为35ns，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为35ns。
SURA8140T3G是DIODE GEN PURP 400V 1A SMA，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMA供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MURA140，该设备提供65ns反向恢复时间trr，该设备具有65ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，电流平均整流Io为1A。
带有电路图的SURA8130T3G，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@300V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，以及DO-214AC，SMA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为65ns，该设备在MURA130系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为SMA，电压DC反向Vr Max为300V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
