9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的U8DT-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。U8DT-E3/4W参考价格为0.48美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division U8DT-E3/4W封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB。您可以下载U8DT-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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U8BT-E3/4W是DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为1.02V@8A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为20ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.02 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为20 ns。
U8CT-E3/4W是DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在1.02V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于150V的直流反向电压Vr Max，提供1.02 V等正向电压特性，单位重量设计为0.211644盎司，以及to-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为20ns，该设备提供20ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，电流平均整流Io为8A，配置为单一。
带有电路图的U89C22-S2002H是IC芯片的一部分。
