9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的10ETS12S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。10ETS12S参考价格为0.38美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 10ETS12S封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK。您可以下载10ETS12S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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10ETS12FP是DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP，包括管封装，它们设计用于to-220-2全封装封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-220AC全封装，速度设计用于标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作50μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@10A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有10A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
10ETS12是DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC，包括1.1V@10A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），与TO-220-2封装盒一样，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有50μa@1200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为10A。
10ETS10S，带有IR制造的电路图。10ETS10采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
