9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SURA8240T3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SURA8240T3G参考价格为0.18000美元。onsemi SURA8240T3G包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 2A SMA。您可以下载SURA8240T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SURA8210T3G是DIODE GEN PURP 100V 2A SMA，包括MURA205系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作SMA供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在100V时具有2μa的电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为940mV@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为940 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为30 ns。
SURA8215T3G带有用户指南，包括950mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMA中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计为在MURA215T3中运行，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@150V，电流平均整流Io为2A。
带有电路图的SURA8220T3G，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@200V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型的功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-214AC，SMA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备在MURA215T3系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为SMA，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为950mV@2A。
