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SIDC14D120E6是DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER，包括散装封装，它们设计为与裸片封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如箔上锯，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作27μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.9V@15A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有15A（DC）电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SIDC14D120F6是DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER，包括2.1V@15A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了供应商设备包，用于箔上锯，提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），以及模具封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有27μa@1200V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为15A（DC）。
SIDC14D120H6是DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER，包括25A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1200V电流反向泄漏Vr下工作27μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备采用Sawn on foil供应商设备包提供，该设备具有1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.6V@25A。
