9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH3B-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH3B-E3/9AT参考价格为0.412美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UH3B-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB。您可以下载UH3B-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH3B-E3/57T是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，其中包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC、，除了表面安装型外，该设备还可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.05V@3A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为40ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为40 ns。
UH2D-M3/5BT带用户指南，包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为40ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为42pF@4V，1MHz。
UH36带有ST制造的电路图。UH36采用QFP92封装，是IC芯片的一部分。
