SIDC02D60C8F1SA1

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SIDC01D120H6是DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER，包括散装封装，它们设计为与裸片封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如箔上锯，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作27μA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.6V@600mA，该设备提供1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，该设备具有600mA（DC）电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。

带有用户指南的SIDC01D60C6，包括箔上锯切供应商设备包，它们设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度下运行。数据表注释中显示了散装使用的包装，该包装提供封装盒功能，如模具，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作标准二极管类型。

带有电路图的SID5486XTR SID5486TTR在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。