9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SIDC05D60C8X1SA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIDC05D60C8X1SA1参考价格$0.336。英飞凌科技SIDC05D60C8X1SA1封装/规格：二极管GEN PURP 600V 15A WAFER。您可以下载SIDC05D60C8X1SA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIDC03D60C6是DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER，包括散装封装，它们设计为与裸片封装外壳一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如箔上锯，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作27μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.95V@10A，该设备提供600V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有10A（DC）电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~175°C。
带有用户指南的SIDC03D60F6，包括1.6V@6A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于锡箔锯的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，包装设计为批量工作，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有27μa@600V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为6A（DC）。
带有电路图的SIDC04D60F6，包括9A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在27μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及管芯封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备采用Sawn on foil供应商设备包提供，该设备具有600V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.6V@9A。
