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DZ4J056K0R是DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMINI4,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于SMD/SMT安装类型,高度如数据表注释所示,用于0.7mm,提供1.25mm等宽度特性,包装盒设计用于4-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SMini4-F3-B供应商设备包。此外,该配置是2独立的,该设备以200mW最大功率提供,该设备具有5.6V的电压齐纳标称Vz,阻抗最大Zzt为40欧姆,电流反向泄漏Vr为500nA@2.5V,电压正向Vf Max If为1V@10mA,Pd功耗为200mW,其最大工作温度范围为+150℃,Vf正向电压在10mA时为1V,Vz齐纳电压为5.6V,电压容差为5%,电压温度系数为1.6mV/C,Zz齐纳阻抗为40欧姆,Ir反向电流为500nA。
DZ4J062K0R是二极管齐纳阵列6.2V SMINI4,包括30欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于1.25毫米宽的工作,数据表中显示了用于6.2伏的Vz齐纳电压,提供6.2V等电压齐纳标称Vz特性,电压容差设计为工作在5%,以及2.4 mV/C电压温度系数,该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外,在10mA时,Vf正向电压为1 V,该器件采用SMini4-F3-B供应商器件封装,该器件的最大功率为200mW,Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为4-SMD,扁平引线,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最大工作温度范围为+150 C,Ir反向电流为200 nA,阻抗最大值Zzt为30 Ohm,高度为0.7 mm,电流反向泄漏Vr为200nA@4V,配置为2独立。
DZ4J068K0R是二极管ZENER阵列6.8V SMINI4,包括两个独立配置,它们设计为在100nA@4V电流反向泄漏Vr下工作,高度如数据表注释所示,用于0.7mm,提供阻抗最大Zzt特性,如20欧姆,Ir反向电流设计为在100 nA下工作,其最大工作温度范围为+150℃,该装置也可以用作表面安装型。此外,安装类型为SMD/SMT,该器件采用4-SMD扁平引线封装盒,该器件具有Digi-ReelR交替封装,Pd功耗为200mW,最大功率为200mW;供应商器件封装为SMini4-F3-B,在10mA时Vf正向电压为1V,正向电压Vf Max If为1V@10mA,电压温度系数为3.2mV/C,电压容差为5%,电压齐纳标称Vz为6.8V,Vz齐纳电压为6.8V、宽度为1.25mm,Zz齐纳阻抗为20欧姆。