9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SURS8210T3G-VF01，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SURS8210T3G-VF01价格参考1.688美元。onsemi SURS8210T3G-VF01包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A SMB。您可以下载SURS8210T3G-VF01英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SURS8160T3G是DIODE GEN PURP 600V 2A SMB，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及DO-214AA，SMB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1.25V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为150 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为75 ns。
SURS8140T3G是DIODE GEN PURP 400V 1A SMB，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@1A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.25 V等正向电压特性，单位重量设计为0.006349盎司，以及SMB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MURS140，该设备提供75ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，电流平均整流Io为1A，配置为单一。
SURS8205T3G是DIODE GEN PURP 50V 2A SMB，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-60°C~175°C，以及DO-214AA，SMB封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在MURS205系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为SMB，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为940mV@2A。
