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DZ4J091K0R是DIODE ZENER ARRAY 9.1V SMINI4，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装盒设计用于4-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini4-F3-B供应商设备包。此外，该配置是2独立的，该设备以200mW最大功率提供，该设备具有9.1V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@6V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为9.1V，电压容差为5%，电压温度系数为5.8mV/C，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100nA。
DZ4J100K0R是二极管ZENER阵列10V SMINI4，包括30欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.25毫米宽的工作，数据表中显示了用于10伏的Vz齐纳电压，提供10V等电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计为工作在5%，以及7.2 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外，在10mA时，Vf正向电压为1 V，该器件采用SMini4-F3-B供应商器件封装，该器件的最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为30 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为50nA@7V，配置为2独立。
DZ4J110K0R是DIODE ZENER ARRAY 11V SMINI4，包括2个独立配置，它们设计为在50nA@8V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计为在50 nA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用4-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；供应商器件封装为SMini4-F3-B，在10mA时Vf正向电压为1V，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为8.3mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为11V，Vz齐纳电压为11V、宽度为1.25mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
DZ4J082K0R，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了用于SMini4-F3-B的供应商设备包，提供SMD/SMT等安装型功能，系列设计用于DZ4，以及8.61 V Vz齐纳电压，该器件也可以用作8.2V电压齐纳标称Vz。此外，封装外壳为4-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-40°C~85°C，器件的电压温度系数为4.7 mV/C，最大功率为200mW，Pd功耗为200 mW，Zz齐纳阻抗为20欧姆，最大阻抗Zzt为20欧姆；配置为2独立，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电流反向泄漏Vr为100nA@5V，Ir反向电流为100nA，Vf正向电压为1V，公差为±5%，其最大工作温度范围为+150 C。
