9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DZ4J160K0R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZ4J160K0R参考价格为0.169172美元。松下电子元件DZ4J160K0R包装/规格：二极管ZENER阵列16.05V SMINI4。您可以下载DZ4J160K0R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZ4J130K0R是DIODE ZENER ARRAY 13V SMINI4，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装盒设计用于4-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini4-F3-B供应商设备包。此外，该配置是2独立的，该设备提供200mW最大功率，该设备具有13V电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为35欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@110V，电压正向Vf最大If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为13V，电压容差为5%，电压温度系数为10.9mV/C，Zz齐纳阻抗为35欧姆，Ir反向电流为50nA。
DZ4J150K0R是DIODE ZENER ARRAY 15V SMINI4，包括40欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.25毫米宽的工作，数据表中显示了用于15 V的Vz齐纳电压，提供了电压齐纳标称Vz特性，如15V，电压容差设计为工作在5%，以及13.4 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外，在10mA时，Vf正向电压为1 V，该器件采用SMini4-F3-B供应商器件封装，该器件的最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为40 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为50nA@11V，配置为2独立。
DZ4J110K0R是DIODE ZENER ARRAY 11V SMINI4，包括2个独立配置，它们设计为在50nA@8V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计为在50 nA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用4-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；供应商器件封装为SMini4-F3-B，在10mA时Vf正向电压为1V，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为8.3mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为11V，Vz齐纳电压为11V、宽度为1.25mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
DZ4J120K0R，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了SMini4-F3-B中使用的供应商设备包，提供安装型功能，如SMD/SMT，系列设计用于DZ4，以及9.3 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作50nA@9V电流反向泄漏Vr。此外，Ir反向电流为50 nA，该器件采用4-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-40°C~85°C，Zz齐纳阻抗为30欧姆，阻抗最大值Zzt为30欧姆、功率最大值为200mW，Pd功耗为200 mW，配置为2独立，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电压齐纳标称Vz为12V，Vz齐纳电压为12.6 V，Vf正向电压为1 V，公差为±5%，其最大工作温度范围为+150 C。
