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DZ4J150K0R是DIODE ZENER ARRAY 15V SMINI4，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装盒设计用于4-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini4-F3-B供应商设备包。此外，该配置是2独立的，该设备以200mW最大功率提供，该设备具有15V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为40欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@11V，电压正向Vf最大If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为15V，电压容差为5%，电压温度系数为13.4mV/C，Zz齐纳阻抗为40欧姆，Ir反向电流为50nA。
DZ4J180K0R是二极管齐纳阵列18V SMINI4，包括60欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.25毫米宽的工作，数据表中显示了用于18 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如18V，电压容差设计为工作在5%，以及17.2 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外，在10mA时，Vf正向电压为1 V，该器件采用SMini4-F3-B供应商器件封装，该器件的最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大Zzt为60 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为50nA@13V，配置为2独立。
DZ4J160K0R带电路图，包括2个独立配置，它们设计为在50nA@112V电流反向泄漏Vr下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于50nA，其最大工作温度范围为+150 C，安装类型设计为表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，封装外壳为4-SMD，扁平引线，器件采用带卷（TR）封装，器件具有200mW的Pd功耗，最大功率为200mW，系列为DZ4，供应商器件封装为SMini4-F3-B，公差为±5%，Vf正向电压为1V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为14.2mV/C，电压齐纳标称Vz为16.05V，Vz齐纳电压为16.8V，Zz齐纳阻抗为50欧姆。
DZ4J200K0R，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了SMini4-F3-B中使用的供应商设备包，提供SMD/SMT等安装型功能，系列设计用于DZ4，以及80欧姆Zz齐纳阻抗，该器件也可以用作80欧姆阻抗最大Zzt。此外，电流反向泄漏Vr为50nA@15V，该器件提供50nA Ir反向电流，该器件具有4-SMD扁平封装外壳引线，其工作温度范围为-40°C~85°C，Vz齐纳电压为21V，电压齐纳标称Vz为20V，功率最大值为200mW，Pd功耗为200mW，电压正向Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为18.4 mV/C，Vf正向电压为1 V，公差为±5%，其最大工作温度范围为+150 C。
