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DZ4J056K0R是DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMINI4，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装盒设计用于4-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini4-F3-B供应商设备包。此外，该配置是2独立的，该设备以200mW最大功率提供，该设备具有5.6V的电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为40欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@2.5V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为5.6V，电压容差为5%，电压温度系数为1.6mV/C，Zz齐纳阻抗为40欧姆，Ir反向电流为500nA。
DZ4J047K0R是二极管齐纳阵列4.7V SMINI4，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.25毫米宽的工作，数据表中显示了用于4.7V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如4.7V，电压容差设计用于5%，以及0.5 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外，在10mA时，Vf正向电压为1 V，该器件采用SMini4-F3-B供应商器件封装，该器件的最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为2 uA，阻抗最大Zzt为80 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为2μA@1V，配置为2独立。
DZ4J051K0R带电路图，包括2个独立配置，它们设计为在1μa@2V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于60欧姆，提供Ir反向电流特性，如1 uA，最大工作温度范围为+150 C，以及表面安装安装型，该器件也可作为SMD/SMT安装类型使用，其工作温度范围为-40°C~85°C，该器件采用4-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；系列为DZ4，供应商器件封装为SMini4-F3-B，公差为±5%，Vf正向电压为1V，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为0.7mV/C，电压齐纳标称Vz为5.11V，Vz齐纳电压为5.36V，Zz齐纳阻抗为60欧姆。
