9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZM55C3V0-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZM55C3V0-TR参考价格为0.29000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZM55C3V0-TR封装/规格：DIODE ZENER 3V 500MW MICROMELF。您可以下载BZM55C3V0-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZM55C39-TR是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004762盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.15 mm，长度1.9 mm，该装置也可以用作1.35mm宽。此外，封装外壳为2-SMD，无引线，工作温度范围为-65°C~175°C，设备为安装型表面安装，供应商设备封装为MicroMELF，配置为单一，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为39V，阻抗最大Zzt为500 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@30V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为39 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.08%/C，Zz齐纳阻抗为90欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZM55C39-TR3是DIODE ZENER 500MW MICROMELF，包括90欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.35 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于39 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如39V，电压容差设计工作在5%，以及0.08%/C电压温度系数，该设备也可以用作1.5V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.004762盎司，该设备采用MicroMELF供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为2-SMD，无引线，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为1.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为500 Ohm，高度为1.15 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@30V，并且配置为单一。
BZM55C39-TR/39V，带有VISHAY制造的电路图。BZM55C39-TR/39V采用LL34-0805封装，是IC芯片的一部分。
