9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZS4715-GS08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZS4715-GS08参考价格为0.33000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZS4715-GS08封装/规格：DIODE ZENER 36V 500MW SOD80。您可以下载TZS4715-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZS4712-GS08是DIODE ZENER 28V 500MW SOD80，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.5毫米，长度为3.5毫米，设备也可以用作1.7毫米宽度。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，装置具有安装型表面安装，供应商装置封装为SOD-80QuadroMELF，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为28V，电流反向泄漏Vr为10μa@21.2V，电压正向Vf Max If为1.5V@100mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为28V，电压容差为5%，齐纳电流为8.5mA，Ir反向电流为10nA，电压调节精度为280mV。
TZS4713-GS08是DIODE ZENER 30V 500MW SOD80，包括7.9mA齐纳电流，其设计工作宽度为1.7mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于30V，提供电压齐纳标称Vz特性，如30V，电压容差设计为5%，以及300mV电压调节精度，该装置也可作为1.5V@100mA正向电压Vf Max If使用。此外，单位重量为0.001827盎司，该装置的公差为±5%，该装置具有SOD-80 QuadroMELF供应商装置包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW；包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为SOD-80变体，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.5 mm，Ir反向电流为10 nA，高度为1.5 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@22.8V，配置为单一。
TZS4714-GS08是DIODE ZENER 33V 500MW SOD80，包括单一配置，它们设计为在10μa@25V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.5 mm，具有10 nA等Ir反向电流特性，长度设计为3.5 mm，最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-65℃。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SMD/SMT安装方式，其工作温度范围在-65℃~175℃之间，包装箱为SOD-80变体，包装为胶带和卷轴（TR），Pd功耗为500 mW，最大功率为500 m，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOD-80 QuadroMELF，公差为±5%，单位重量为0.001827 oz，电压正向Vf Max If为1.5V@100mA，电压调节精度为330 mV，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为33V，Vz齐纳电压为33 V，宽度为1.7 mm，齐纳电流为7.2 mA。
