9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RGF1DHE3/67A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RGF1DHE3/67A参考价格为0.5704美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RGF1DHE3/67A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA。您可以下载RGF1DHE3/67A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RGF1D-E3/5CA是DIODE SW 1A 200V 150NS DO-214BA，包括Automotive、AEC-Q101、Superectifier系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-214BB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214B a（GF1），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为8.5pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
RGF1D-E3/67A是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA，包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214BA（GF1）的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214BA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8.5pF@4V，1MHz。
RGF1D-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。RGF1D-E3/61T采用DO-214AC/SMA封装，是IC芯片的一部分。
