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DZ4J036K0R是DIODE ZENER ARRAY 3.6V SMINI4，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装盒设计用于4-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini4-F3-B供应商设备包。此外，该配置是2独立的，该设备提供200mW最大功率，该设备具有3.6V电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为130欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为3.6V，电压容差为5%，电压温度系数为-1.7mV/C，Zz齐纳阻抗为130欧姆，Ir反向电流为10uA。
DZ4J039K0R是二极管齐纳阵列3.9V SMINI4，包括130欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.25毫米宽的工作，数据表中显示了用于3.9V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如3.9V，电压容差设计用于5%，以及-1.3mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA正向电压Vf Max If。此外，在10mA时，Vf正向电压为1 V，该器件采用SMini4-F3-B供应商器件封装，该器件的最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为4-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为10 uA，阻抗最大Zzt为130 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为10μA@1V，配置为2独立。
DZ4J047K0R是二极管ZENER阵列4.7V SMINI4，包括2个独立配置，它们设计为在2μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，例如80欧姆，Ir反向电流设计为在2uA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用4-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；供应商器件封装为SMini4-F3-B，在10mA时Vf正向电压为1V，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为0.5mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为4.7V，Vz齐纳电压为4.7V、宽度为1.25mm，Zz齐纳阻抗为80欧姆。
DZ4J043K0R，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SMini4-F3-B，提供安装型功能，如SMD/SMT，系列设计用于DZ4，以及4-SMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，Vz齐纳电压为4.52 V，该器件提供4.31V电压齐纳标称Vz，该器件最大功率为200mW，Pd功耗为200 mW，配置为2独立，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Zz齐纳阻抗为130欧姆，阻抗最大Zzt为130欧姆；电流反向泄漏Vr为10μa@1V，Ir反向电流为10 uA，Vf正向电压为1 V，公差为±5%，最大工作温度范围为+150 C，电压温度系数为-0.9 mV/C。
