1N753A

描述:标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~200摄氏度
品牌:
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 7212

数量	单价	合计
7212+	0.28971	2089.43179

库存: 141543
单价: ¥0.28972
数量:
- +
总计: ¥2,089.43

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

最大阻抗值 (Zzt) 7 Ohms
公差 ±5%
最大功率 500 mW
工作温度 -65摄氏度~200摄氏度
安装类别通孔
包装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向
标称齐纳电压 (Vz) 6.2 V
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.5 V@200 mA
供应商设备包装 DO-35（DO-204AH）
反向漏电流 @ 直流反向电压 100nA@1V
制造厂商
部件状态过时的

1N753A 产品详情

1N753A是一个齐纳二极管，具有高可靠性和非常尖锐的反向特性。该二极管适用于电压稳定应用。

特色

200mA正向电压下为1.5V
20mA，用于7Ω反向电流
1V反向泄漏电流时为0.1µA
Multicomp Pro产品的评分为4.6（满分5颗星）
12个月有限保修*查看条款和条件以了解详细信息
96%的客户会向朋友推荐

1N753A 相关器件

型号	制造商	描述	价格
1N756A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.11445
1N749A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 4.3伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.11445
1N746A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.11445
1N754A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.54902
1N753A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.54902
1N755A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.54902
1N759ATR		标称齐纳电压 (Vz): 12伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.36215
1N759A	NTE电子 (NTE)	标称齐纳电压 (Vz): 12伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.97924
1N752A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.67924
1N753A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.67924

1N753A所属分类：单齐纳二极管，1N753A 由设计生产，可通过久芯网进行购买。1N753A价格参考￥0.289716，你可以下载 1N753A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N753A规格参数、现货库存、封装信息等信息！