9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的KDZTR13B,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。KDZTR13B参考价格为0.48000美元。Rohm Semiconductor KDZTR13B封装/规格:二极管ZENER 13.8V 1W PMDU。您可以下载KDZTR13B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如KDZTR13B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
KDZTR10B是DIODE ZENER 10.3V 1W PMDU,包括KDZ 10B系列,它们设计用于齐纳二极管产品,包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.000363盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及0.8mm高度,该设备也可以用作2.6mm长度。此外,宽度为1.6 mm,该器件采用SOD-123F封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为表面安装,供应商器件封装为PMDU,配置为单一,公差为±6%,最大功率为1W,电压齐纳标称Vz为10.3V,电流反向泄漏Vr为10μA@7V,Pd功耗为1 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为10.31 V,电压容差为5%,电压温度系数为6.9 mV/deg C,齐纳电流为40 mA,Ir反向电流为10 uA。
KDZTR11B是DIODE ZENER 11.5V 1W PMDU,包括20 mA齐纳电流,其设计工作宽度为1.6 mm,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于11.51 V,提供电压齐纳标称Vz特性,如11.5V,电压容差设计工作在6%,以及7.9 mV/℃电压温度系数,该装置也可以用作0.000363盎司单位重量。此外,公差为±6%,该器件采用PMDU供应商器件封装,该器件具有KDZ 11B系列,产品为齐纳二极管,最大功率为1W,Pd功耗为1W;封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为SOD-123F,工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,长度为2.6 mm,Ir反向电流为10 uA,高度为0.8 mm,电流反向泄漏Vr为10μA@8V,配置为单一。
KDZTR12B是DIODE ZENER 12.5V 1W PMDU,包括单一配置,它们设计为在10μa@9V电流反向泄漏Vr下工作,高度如数据表注释所示,用于0.8mm,提供Ir反向电流功能,如10 uA,长度设计为在2.6mm内工作,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃。此外,安装类型为表面安装,该器件采用SMD/SMT安装方式,其工作温度范围在-55℃~150℃之间,包装箱为SOD-123F,包装为Digi-ReelR交替包装,Pd功耗为1 W,最大功率为1W,系列为KDZ 12B,供应商设备包为PMDU,公差为±6%,单位重量为0.001058 oz,电压温度系数为8.7 mV/deg C,电压公差为6%,电压齐纳标称Vz为12.5V,Vz齐纳电压为12.5 V,宽度为1.6 mm。