9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZMB12-GS18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。TZMB12-GS18参考价格为0.33000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZMB12-GS18封装/规格:DIODE ZENER 12V 500MW SOD80。您可以下载TZMB12-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如TZMB12-GS18价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
TZMB12-GS08是DIODE ZENER 12V 500MW SOD80,包括Automotive、AEC-Q101系列,设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.001827盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,高度设计为1.5 mm,长度3.5 mm,该装置也可以用作1.5mm宽。此外,包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80,其工作温度范围为175°C,设备具有安装型表面安装,供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF,配置为单一,公差为±2%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为12V,阻抗最大Zzt为20欧姆,电流反向泄漏Vr在9.1V时为100nA,电压正向Vf Max If在200mA时为1.5V,Pd功耗为500mW,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vz齐纳电压为12V,电压容差为2%,电压温度系数为0.07%/K,齐纳电流为100 nA,Zz齐纳阻抗为20欧姆,Ir反向电流为100nA。
TZMB11-GS18是DIODE ZENER 11V 500MW SOD80,包括20欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计为在1.5毫米宽的情况下工作,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于11 V,提供电压齐纳标称Vz特性,如11V,电压容差设计为在2%范围内工作,以及0.07%/K电压温度系数,该设备也可作为1.5V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外,单位重量为0.001827盎司,该设备的公差为±2%,该设备具有SOD-80 MiniMELF供应商设备包,系列为汽车、AEC-Q101,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW,封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80,工作温度范围为-65°C~175°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围-65 C,最大工作温度范围+175 C,长度为3.5 mm,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大Zzt为20 Ohm,高度为1.5mm,电流反向泄漏Vr为100nA@8.2V,配置为单一。
TZMB11-GS08/11V,带有VISHAY制造的电路图。TZMB11-GS08/11V采用LL34封装,是IC芯片的一部分。