9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZMB10-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZMB10-GS18参考价格为0.33000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZMB10-GS18封装/规格：DIODE ZENER 10V 500MW SOD80。您可以下载TZMB10-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZMB10-GS08是DIODE ZENER 10V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.5 mm，长度3.5 mm，该装置也可以用作1.5mm宽。此外，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备为表面安装型，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，配置为单一，公差为±2%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr在7.5V时为100nA，电压正向Vf Max If在200mA时为1.5V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vz齐纳电压为10V，电压容差为2%，电压温度系数为0.065%/K，齐纳电流为100 nA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为100nA。
TZMA8V2-GS08是DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.6 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于8.2 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如8.2V，电压容差设计工作范围为1%，电压温度系数为0.055%/K，该设备也可以用作1.5V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.001827盎司，该设备采用SOD-80 MiniMELF供应商设备包，该设备最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80、，它的工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-65°C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.7 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为7 Ohm，高度为1.6 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@6.2V，并且配置为单一。
TZMA9V1-GS08带电路图，包括单一配置，设计用于在100nA@6.8V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.6mm，提供阻抗最大Zzt特性，如7欧姆，Ir反向电流设计用于100nA，长度为3.7mm，最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-65℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~175℃之间，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，封装为磁带和卷轴（TR），Pd功耗为500 mW，最大功率为500mW，供应商设备包为SOD-80 MiniMELF，单位重量为0.001827盎司，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压温度系数为0.06%/K，电压容差为1%，电压齐纳标称Vz为9.1V，Vz齐纳电压为9.1V、宽度为1.6mm，Zz齐纳阻抗为10欧姆。
