9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DZ2J11000L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZ2J11000L参考价格$4.44000。松下电子元件DZ2J11000L包装/规格：DIODE ZENER 11V 200MW SMINI2。您可以下载DZ2J11000L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZ2J100M0L是DIODE ZENER 10V 200MW SMINI2，其中包括齐纳二极管产品，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，其提供0.7mm等高度特性，宽度设计为1.25mm，以及SC-90、SOD-323F封装外壳，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMini2-F5-B，该设备为单配置，该设备具有±5%的容差，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@7V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，10 mA时Vf正向电压为1 V，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为2.5%，电压温度系数为7.2 mV/C，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为50 nA。
DZ2J091M0L是DIODE ZENER 9.1V 200MW SMINI2，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.25 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于9.1 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如9.1V，电压容差设计工作在2.5%，以及5.8 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该器件的容差为±5%，该器件具有供应商器件封装的SMini2-F5-B，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90、SOD-323F，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为20 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@6V，配置为单一。
DZ2J10000L是DIODE ZENER 10V 200MW SMINI2，包括单一配置，它们设计为在50nA@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计为在50 nA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用SC-90、SOD-323F封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；供应商器件封装为SMini2-F5-B，公差为±5%，10mA时Vf正向电压为1 V，10mA下电压正向Vf Max If为1V，电压温度系数为7.2mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V、宽度为1.25mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
