9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的TSZU52C11 RGG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TSZU52C11 RGG参考价格为0.07146美元。台湾半导体公司TSZU52C11 RGG封装/规格：DIODE ZENER 11V 150MW 0603。您可以下载TSZU52C11 RGG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TSZL52C9V1是齐纳二极管9.1伏特200mW 5%，包括卷轴封装，它们设计为与RW零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品具有0.9毫米的高度特性，长度设计为2.6毫米，以及1.3毫米的宽度，该设备也可以用作1005封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供200mW Pd功耗，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.105 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为100 nA。
TSZL52C7V5是齐纳二极管7.5伏特200mW 5%，包括7欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.3毫米宽，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于7.505 V，提供5%等电压容差功能，Pd功耗设计用于200 mW，以及RW部件别名，该设备也可用作卷筒包装。此外，封装外壳为1005，该器件采用SMD/SMT安装方式，其最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+125℃，长度为2.6 mm，Ir反向电流为100 nA，高度为0.9 mm，配置为单一。
TSZL52C8V2是齐纳二极管，8.2伏特，200mW，5%，包括单配置，它们设计为在0.9 mm高度下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于100 nA，具有2.6 mm的长度特性，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为1005，设备采用卷筒包装，设备具有零件别名RW，Pd功耗为200mW，电压容差为5%，Vz齐纳电压为8.2V，宽度为1.3mm，Zz齐纳阻抗为7欧姆。
TSZU52C10是稳压二极管，10伏，150瓦，10%，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为单配置工作，数据表中显示了RGG中使用的零件别名，RGG提供了卷盘等封装功能，电压容差设计为5%，以及150 mW Pd功耗，该器件还可以用作15欧姆Zz齐纳阻抗。此外，Ir反向电流为100 nA，器件提供10 V Vz齐纳电压，器件长度为1.8 mm，宽度为1 mm，封装外壳为0603，高度为0.85 mm，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C。
