9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C75P-HE3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C75P-HE3-08参考价格0.16599美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C75P-HE3-08封装/规格：DIODE ZENER 75V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C75P-HE3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD27C75P RQ是齐纳二极管75伏特0.8瓦特5%，包括卷轴封装，它们设计为与BZD27C55P RQ-零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，具有1.43mm的高度特征，长度设计为2.9 mm，以及1.9 mm的宽度，该设备也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为74.5 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.105%/C，Zz齐纳阻抗为100欧姆，Ir反向电流为1uA。
BZD27C75P-E3-08是DIODE ZENER 800MW SMF DO219，包括75V电压齐纳标称Vz，设计用于与DO-219AB（SMF）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于汽车AEC-Q101，提供功率最大功能，如800MW，包装设计用于磁带和卷轴（TR）替代包装，以及DO-219A B包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备提供100欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有1μa@56V电流反向泄漏Vr。
BZD27C75P-E3-18，带电路图，包括1μA@56V电流反向泄漏Vr，它们设计为在100欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计为在DO-219AB中工作，以及胶带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可作为最大800mW功率使用。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在DO-219AB（SMF）供应商设备包中提供，该设备具有75V电压齐纳标称Vz。
