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ZM4756A-GS08是DIODE ZENER 47V 1W DO213AB，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于单位重量为0.004762盎司的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备具有2.6毫米的高度特征，长度设计为5.2毫米，以及2.6毫米的宽度，该设备也可以用作DO-213AB，MELF（玻璃）封装盒，其工作温度范围为175°C，该器件为表面安装型，该器件具有DO-213AB供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为47V，阻抗最大Zzt为80 Ohm，电流反向泄漏Vr为5μa@35.8V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为47 V，电压容差为5%，齐纳电流为19 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为5 uA。
ZM4756A-GS18是DIODE ZENER 47V 1W DO213AB，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于19 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如47 V，电压齐纳标称Vz设计用于47V，以及5%的电压容差，该设备也可以用作0.004762盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备采用DO-213AB供应商设备包提供，该设备的最大功率为1W，Pd功耗为1 W，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AA，MELF（玻璃），工作温度范围为175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为5.2 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大值Zzt为80 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@35.8V，配置为单一。
ZM44757A-GS08是齐纳二极管51伏特1瓦特5%，包括单配置，它们设计为在2.7 mm高度下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于5 uA，具有5.2 mm的长度特性，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为DO-213AB-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有零件别名L0，Pd功耗为1 W，单位重量为0.004021盎司，电压容差为5%，Vz齐纳电压为51 V，宽度为2.7 mm，Zz齐纳阻抗为95欧姆。
