9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C22P-HE3-18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C22P-HE3-18参考价格为0.15362美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C22P-HE3-18封装/规格:DIODE ZENER 22V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C22P-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD27C22P-E3-08,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.005291盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及1.08 mm高度,该装置也可以用作2.9mm长度。此外,宽度为1.9 mm,该设备采用DO-219AB封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为表面安装,供应商设备封装为DO-219A B(SMF),配置为单一,最大功率为800mW,电压齐纳标称Vz为22V,阻抗最大Zzt为15欧姆,电流反向泄漏Vr为1μA@16V,Pd功耗为800mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.2 V,Vz齐纳电压为22 V,Zz齐纳阻抗为6欧姆,Ir反向电流为1 uA。
BZD27C220P RQ是齐纳二极管220伏特0.8瓦特5%,包括900欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计为在1.9毫米宽的情况下工作,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于220.5 V,提供6%的电压容差特性,电压温度系数设计为在0.11%/C下工作,以及800 mW Pd功耗,该设备也可以用作BZD27C220P RQ部件别名。此外,包装为卷筒式,该设备采用Sub-SMA-2封装盒,该设备具有安装式SMD/SMT,其最低工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+175℃,长度为2.9 mm,Ir反向电流为1 uA,高度为1.43 mm,配置为单体。
BZD27C220P是齐纳二极管220伏特0.8瓦特5%,包括单配置,它们设计为在1.43 mm高度下工作,Ir反向电流如数据表注释所示,用于1 uA,提供2.9 mm的长度特性,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外,封装外壳为Sub-SMA-2,器件采用卷筒封装,器件具有R3部分别名,Pd功耗为800mW,电压温度系数为0.11%/C,电压容差为6%,Vz齐纳电压为220.5V,宽度为1.9mm,Zz齐纳阻抗为900欧姆。