9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD17C56P-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD17C56P-E3-18参考价格为0.15972美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD17C56P-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 56V 800MW DO219AB。您可以下载BZD17C56P-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD17C4V7P-E3-08，带引脚细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-219AB包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO2119AB（SMF），以及800mW最大功率，该器件也可以用作4.7V电压齐纳标称Vz。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@10V，该器件提供1.2V@200mA电压正向Vf Max If。
BZD17C4V7P-E3-18带用户指南，包括4.7V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于DO-219AB（SMF）的供应商设备包，该设备提供功率最大功能，如800mW，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及DO-219A B包装箱中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，设备提供10μA@10V电流反向泄漏Vr。
BZD17C4V3P-E3-08带电路图，包括25μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，提供DO-219AB等封装盒功能。封装设计用于磁带和卷轴（TR）交替封装，以及最大800mW功率，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，该器件提供4.3V电压齐纳标称Vz。
BZD17C4V3P-E3-18，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计为表面安装安装型，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-219AB（SMF），提供DO-219A等包装箱功能，功率最大设计为800mW，工作温度范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作4.3V电压齐纳标称Vz。此外，电流反向泄漏Vr为25μA@1V，器件提供1.2V@200mA电压正向Vf Max If。
