9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD17C6W8P-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD17C6W8P-E3-08参考价格为0.14751美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD17C6W8P-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB。您可以下载BZD17C6W8P-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如BZD17C6W8P-E3-08价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZD17C68P RQ是齐纳二极管68伏特0.8瓦特5%，包括卷轴封装，它们设计为与BZD17C88P RQ-零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1.43 mm等高度特性，长度设计为2.9 mm，以及1.9 mm宽度，该设备也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为68 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.105%/C，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZD17C62P-E3-18带有用户指南，包括62V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于DO-219AB（SMF）的供应商设备包，该设备提供功率最大功能，如800mW，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1μA@47V电流反向泄漏Vr。
BZD17C68P-E3-08带电路图，包括1μA@51V电流反向泄漏Vr，设计用于表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，提供DO-219AB等封装盒功能，封装设计用于磁带和卷轴（TR）交替封装，以及最大800mW功率，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，该器件提供68V电压齐纳标称Vz。
BZD17C68P-E3-18，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计为表面安装安装型，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-219AB（SMF），提供DO-219A等包装箱功能，功率最大设计为800mW，以及68V电压齐纳标称Vz，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@51V，该器件提供1.2V@200mA电压正向Vf Max If。
