9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD17C200P-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD17C200P-E3-18参考价格为0.16005美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD17C200P-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 200V 800MW DO219AB。您可以下载BZD17C200P-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZD17C18P RQ是齐纳二极管18伏特0.8瓦特5%，包括卷轴封装，它们设计为与BZD17C18P RQ零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1.43 mm等高度特性，长度设计为2.9 mm，以及1.9 mm宽度，该设备也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为17.95 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.085%/C，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为1uA。
BZD17C18P是齐纳二极管，18伏特0.8瓦特5%，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.9毫米宽，数据表中显示了17.95 V的Vz齐纳电压，提供6%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.085%/C，以及800 mW Pd功耗，该设备也可以用作R3部件别名。此外，包装为卷筒式，该设备采用Sub-SMA-2封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为2.9 mm，Ir反向电流为1 uA，高度为1.43 mm，配置为单体。
BZD17C18P-E3-08，带电路图，包括1μA@13V电流反向泄漏Vr，设计用于表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，提供DO-219AB等封装盒功能，封装设计用于磁带和卷轴（TR）交替封装，以及最大800mW功率，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，该器件提供18V电压齐纳标称Vz。
BZD17C18P-E3-18，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计为表面安装安装型，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-219AB（SMF），提供DO-219A等包装箱功能，功率最大设计为800mW，工作温度范围为-55°C~150°C，该器件还可以用作1μA@13V电流反向泄漏Vr。此外，电压齐纳标称Vz为18V，器件提供1.2V@200mA正向电压Vf Max If。
