9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C200P-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C200P-E3-18参考价格为0.16121美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C200P-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 200V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C200P-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZD27C200P-E3-08，带引脚细节，包括BZD27系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1.08 mm高，设备也可以用作2.9 mm长。此外，宽度为1.9 mm，设备采用DO-219AB封装盒，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为DO-219A B（SMF），配置为单一，公差为±6%，最大功率为800mW，电压齐纳标称Vz为200V，阻抗最大Zzt为500欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@150V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为800mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.2V，Vz齐纳电压为200V，Zz齐纳阻抗为200欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZD27C200P RQ是齐纳二极管200伏特0.8瓦特5%，包括750欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.9毫米宽的情况下工作，数据表中显示了用于200伏特的Vz齐纳电压，提供6%的电压容差特性，电压温度系数设计为在0.11%/C下工作，以及800毫瓦Pd功耗，该设备也可以用作BZD27C200P RQ部件别名。此外，包装为卷筒式，该设备采用Sub-SMA-2封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为2.9 mm，Ir反向电流为1 uA，高度为1.43 mm，配置为单体。
BZD27C200P是齐纳二极管200伏特0.8瓦特5%，包括单配置，它们设计为在1.43 mm高度下工作，Ir反向电流如数据表注释所示，用于1 uA，提供2.9 mm的长度特性，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，封装外壳为Sub-SMA-2，器件采用卷筒封装，器件具有R3部分别名，Pd功耗为800mW，电压温度系数为0.11%/C，电压容差为6%，Vz齐纳电压为200V，宽度为1.9mm，Zz齐纳阻抗为750欧姆。
