9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C75P-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C75P-E3-18参考价格为0.16121美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C75P-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 75V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C75P-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZD27C75P RQ是齐纳二极管75伏特0.8瓦特5%，包括卷轴封装，它们设计为与BZD27C55P RQ-零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，具有1.43mm的高度特征，长度设计为2.9 mm，以及1.9 mm的宽度，该设备也可以用作Sub-SMA-2封装盒。此外，该配置为单一配置，该设备提供800 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为74.5 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.105%/C，Zz齐纳阻抗为100欧姆，Ir反向电流为1uA。
BZD27C75P是75伏0.8瓦5%的齐纳二极管，包括100欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.9毫米宽的情况下工作，数据表中显示了74.5 V的Vz齐纳电压，提供6%的电压容差特性，电压温度系数设计为在0.105%/C下工作，以及800 mW Pd功耗，该设备也可以用作R3部件别名。此外，包装为卷筒式，该设备采用Sub-SMA-2封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为2.9 mm，Ir反向电流为1 uA，高度为1.43 mm，配置为单体。
BZD27C75P-E3-08是DIODE ZENER 800MW SMF DO219，包括1μA@56V电流反向泄漏Vr，设计用于100欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C，包装箱设计用于DO-219AB，除了磁带和卷轴（TR）替代包装包装外，该设备还可以用作800mW最大功率。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在DO-219AB（SMF）供应商设备包中提供，该设备具有75V电压齐纳标称Vz。
