9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C18P-M3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C18P-M3-18参考价格为0.16500美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C18P-M3-18封装/规格：DIODE ZENER 18V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C18P-M3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZD27C18P-E3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1.08 mm高度，该装置也可以用作2.9mm长度。此外，宽度为1.9 mm，该设备采用DO-219AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商设备封装为DO-219A B（SMF），配置为单一，最大功率为800mW，电压齐纳标称Vz为18V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为1μA@13V，Pd功耗为800mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为18 V，Zz齐纳阻抗为6欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZD27C18P RQ是齐纳二极管18伏特0.8瓦特5%，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.9毫米宽，数据表中显示了17.95 V的Vz齐纳电压，提供6%的电压容差特性，电压温度系数设计用于0.085%/C，以及800 mW Pd功耗，该设备也可以用作BZD27C18P RQ部件别名。此外，包装为卷筒式，该设备采用Sub-SMA-2封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为2.9 mm，Ir反向电流为1 uA，高度为1.43 mm，配置为单体。
BZD27C18P是齐纳二极管18伏特0.8瓦特5%，包括单配置，它们设计用于1.43毫米高度，Ir反向电流如数据表注释所示，用于1 uA，提供2.9毫米的长度特性，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为Sub-SMA-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有零件别名R3，Pd功耗为800mW，电压温度系数为0.085%/C，电压容差为6%，Vz齐纳电压为17.95V，宽度为1.9mm，Zz齐纳阻抗为15欧姆。
