9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N747,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N747的参考价格为2.07000美元。Microchip Technology 1N747包装/规格:DIODE ZENER。您可以下载1N747英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N746A-1带有引脚细节,包括齐纳二极管产品,它们设计用于散装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004833盎司,长度特点为5.08 mm,宽度设计为2.29 mm,以及DO-204AH、DO-35轴向包装箱,其工作温度范围为-65°C~175°C。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-35供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,公差为±5%,功率最大值为500mW,电压齐纳标称Vz为3.3V,阻抗最大值Zzt为24欧姆,电流反向泄漏Vr为5μa@1V,电压正向Vf最大值If为1.1V@200mA,直径为2.29 mm,Pd功耗为500 mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,200 mA时Vf正向电压为1.1 V,Vz齐纳电压为3.3 V,电压容差为5%,电压温度系数为-0.07%/C,齐纳电流为120 mA,Zz齐纳阻抗为24欧姆,Ir反向电流为30uA。
1N746ATR是DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35,包括3.3V电压齐纳标称Vz,它们设计为在200mA电压正向Vf最大值为1.5V的情况下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供了供应商设备包功能,如DO-35,功率最大值设计为500MW,以及磁带和卷轴(TR)封装,该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,该设备为通孔安装型,该设备具有28欧姆的阻抗最大Zzt,电流反向泄漏Vr为10μa@1V。
1N746AUR-1,带有Microsemi制造的电路图。是二极管-齐纳-单体的一部分,并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管、齐纳二极管、二极管齐纳单体3.3V 5%500mW 2引脚DO-213AA。