9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N750,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N750参考价格$22000。Microchip Technology 1N750包装/规格:DIODE ZENER。您可以下载1N750英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N749A-1,带有引脚细节,包括齐纳二极管产品,它们设计用于散装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004833盎司,具有5.08毫米的长度特性,宽度设计用于2.29毫米,以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱,其工作温度范围为-65°C~175°C。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-35供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为4.3V,阻抗最大Zzt为18欧姆,电流反向泄漏Vr为2μa@1V,电压正向Vf Max If为1.1V@200mA,直径为2.29 mm,Pd功耗为500 mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,200 mA时Vf正向电压为1.1 V,Vz齐纳电压为4.3 V,电压容差为5%,电压温度系数为-0.005%/C 0.02%/C,齐纳电流为90 mA,Zz齐纳阻抗为18欧姆,Ir反向电流为50uA。
1N749ATR是DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35,包括4.3V电压齐纳标称Vz,它们设计为在200mA电压下以1.5V的正向Vf最大值运行。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供供应商设备包功能,如DO-35,功率最大值设计为500MW,以及切割带(CT)封装,该设备也可以用作DO-204AH,DO-35,轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,该设备为通孔安装型,该设备具有22欧姆的阻抗最大Zzt,电流反向泄漏Vr为2μa@1V。
1N749AUR-1,带有Microsemi制造的电路图。是二极管-齐纳-单的一部分,并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。