9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N719A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N719A参考价格1.84501美元。Microchip Technology 1N719A封装/规格：DIODE ZENER 16V 250MW DO35。您可以下载1N719A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N708是TRANS NPN 15V TO-18，包括2N708系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于BK的零件别名，该BK提供了通孔等安装样式功能，包装盒设计用于TO-18，以及单配置，该设备还可以用作15 V集电极-发射极电压VCEO最大值。此外，晶体管极性为NPN，该器件的集电极-发射极饱和电压为400 mV，该器件具有40 V的集电极基极电压VCBO，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为10 mA，增益带宽积fT为400 MHz，在10 mA 1 V时，直流集电极基极增益hfe Min为30，直流电流增益hfe Max为120。
2N718A是双极晶体管-BJT NPN Gen Pur SS，包括0.004833盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，系列如数据表注释所示，用于2N718，提供零件别名功能，如BK，包装设计为批量工作，以及DO-35封装盒，该设备也可以用作通孔安装型。此外，最大直流集电极电流为150 mA，该设备以60 MHz增益带宽产品fT提供，该设备具有7 V的发射极基极电压VEBO，在150 mA 10 V时，直流集电极基极增益hfe Min为40，配置为单，集电极发射极电压VCEO Max为32 V，集电极-发射极饱和电压为1.5 V，集电极基极电压VCBO为75V。
2N706A是双极晶体管-BJT NPN Fast SW SS，包括25 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在20 V集电极-发射极电压VCEO最大值下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，如10 mA，DC集电极基基增益hfe最小值设计为在10 mA 5 V下工作20，除了25 V发射极基极电压VEBO之外，该器件还可以用作400 MHz增益带宽产品fT。此外，安装类型为通孔，该器件采用TO-18封装盒，该器件具有大量封装，零件别名为BK，系列为2N706，晶体管极性为NPN。
2N709，GTC制造的EDA/CAD模型。2N709采用TO-18封装，是IC芯片的一部分。
