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DZ2J082M0L是DIODE ZENER 8.2V 200MW SMINI2，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供1.25mm等宽度特性，包装箱设计用于SC-90、SOD-323F以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMini2-F5-B供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备具有±5%的容差，该设备的最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大值Zzt为20 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@5V，电压正向Vf最大值If为1V@10mA，Pd功耗为200mW。该设备的最高工作温度范围为+150 C，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为8.2V，电压容差为2.5%，电压温度系数为4.7mV/C，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100nA。
DZ2J08200L是DIODE ZENER 8.2V 200MW SMINI2，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.25毫米宽的工作，数据表中显示了用于8.2 V的Vz齐纳电压，提供了电压齐纳标称Vz特性，如8.2V，电压容差设计为5%，以及4.7 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该器件的容差为±5%，该器件具有供应商器件封装的SMini2-F5-B，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90、SOD-323F，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为20 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@5V，配置为单一。
DZ2J082MOL，电路图由PANASONIC制造。DZ2J082MOL采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
