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DZ2708200L是DIODE ZENER 8.2V 120MW SSSMINI2，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，高度如数据表注释所示，用于0.52 mm，提供0.6 mm等宽度特性，包装箱设计用于2-SMD、扁平引线以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SSSMini2-F4-B供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供±5%的容差，该设备最大功率为120mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大值Zzt为20欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@5V，电压正向Vf最大值If为1V@10mA，Pd功耗为120 mW，其最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为8.2V，电压容差为5%，电压温度系数为4.7mV/C，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100nA。
DZ2709100L是DIODE ZENER 9.1V 120MW SSSMINI2，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为0.6 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于9.1 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如9.1V，电压容差设计工作在5%，以及5.8 mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该器件的容差为±5%，该器件具有供应商器件封装的SSSMini2-F4-B，最大功率为120mW，Pd功耗为120mW；封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为20 Ohm，高度为0.52 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@6V，配置为单一。
DZ2710000L是DIODE ZENER 10V 120MW SSSMINI2，包括单一配置，它们设计为在50nA@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.52 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如30欧姆，Ir反向电流设计为在50 nA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用2-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为120 mW，最大功率为120 W，供应商器件封装为SSSMini2-F4-B，公差为±5%，10 mA时Vf正向电压为1 V，10mA时电压正向Vf Max If为1V，电压温度系数为7.2mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V、宽度为0.6mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
