| 1N756A BK PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥3.11445 |
| 1N749A BK PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 4.3伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥3.11445 |
| 1N746A TR PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥3.11445 |
| 1N754A TR PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥3.54902 |
| 1N753A TR PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥3.54902 |
| 1N755A TR PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥3.54902 |
| 1N759ATR | | 标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35(DO-204AH) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥0.36215 |
| 1N759A | NTE电子 (NTE) | 标称齐纳电压 (Vz): 12伏 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥0.97924 |
| 1N752A BK PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥0.67924 |
| 1N753A BK PBFREE | 中央半导体 (Central) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 | ¥0.67924 |