1N752A

Name: 1N752A
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7055674-1N752A
Price: 1.817490 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
公差 ±5%
最大功率 500 mW
工作温度 -65摄氏度~200摄氏度
安装类别通孔
包装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向
供应商设备包装 DO-35
最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.5 V@200 mA
标称齐纳电压 (Vz) 5.6 V
反向漏电流 @ 直流反向电压 1.A@1伏
最大阻抗值 (Zzt) 11欧姆
部件状态过时的

1N752A 产品详情

1N752A是一个齐纳二极管，具有高可靠性和非常尖锐的反向特性。该二极管适用于电压稳定应用。

特色

200mA正向电压下为1.5V
20mA，用于11Ω反向电流
1V反向泄漏电流时为1µA
Multicomp Pro产品的评分为4.6（满分5颗星）
12个月有限保修*查看条款和条件以了解详细信息
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型号	制造商	描述	价格
1N756A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.11445
1N749A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 4.3伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.11445
1N746A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 3.3伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.11445
1N754A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.54902
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1N755A TR PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥3.54902
1N759ATR		标称齐纳电压 (Vz): 12伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35（DO-204AH）工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.36215
1N759A	NTE电子 (NTE)	标称齐纳电压 (Vz): 12伏最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.97924
1N752A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.67924
1N753A BK PBFREE	中央半导体 (Central)	标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: DO-35 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度	¥0.67924