9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N749ATR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N749ATR参考价格为0.768美元。onsemi 1N749ATR包装/规格：DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35。您可以下载1N749ATR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N749A-1，带有引脚细节，包括齐纳二极管产品，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有5.08毫米的长度特性，宽度设计用于2.29毫米，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.3V，阻抗最大Zzt为18欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@1V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，200 mA时Vf正向电压为1.1 V，Vz齐纳电压为4.3 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.005%/C 0.02%/C，齐纳电流为90 mA，Zz齐纳阻抗为18欧姆，Ir反向电流为50uA。
1N749A_T50R带用户指南，包括4.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.5V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备为通孔安装型，设备阻抗最大值为22欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@1V。
1N749A_T50A，带电路图，包括2μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在22欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计为在DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带盒（TB）包装中工作，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为4.3V。
