9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TFZTR9.1B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TFZTR9.1亿美元的参考价格为0.172美元。Rohm Semiconductor TFZTR9.1B封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW TUMD2。您可以下载TFZTR9.1B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TFZGTR9.1B是DIODE ZENER 9.1V 500MW TUMD2，包括TFZ9.1B系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TUMD2，该设备为单配置，该设备最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为8欧姆，反向电流泄漏Vr为500nA@6V，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vz齐纳电压为9.01 V，电压容差为3%，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为500 nA。
TFZGTR7.5B是DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在20 mA齐纳电流下工作，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于7.4 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如7.5V，电压容差设计为3%，以及TUMD2供应商设备包，该装置也可以用作TFZ7.5B系列。此外，最大功率为500mW，该器件提供500mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大工作温度范围+150°C，Ir反向电流为500nA，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@4V，配置为单一。
TFZGTR6.8B是DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2，包括单一配置，它们设计为在3.5V电流反向泄漏Vr下工作2μa，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于8欧姆，提供Ir反向电流功能，如2 uA，其最大工作温度范围为+150 C，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用2-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为TFZ6.8B，供应商器件封装为TUMD2，电压容差为3%，电压齐纳标称Vz为6.8V，Vz齐纳电压为6.8V、齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆。
TFZGTR8.2B是DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2，包括TUMD2供应商设备包，它们设计用于TFZ8.2B系列，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供表面安装等安装类型功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及单一配置，该器件也可以用作8.2V电压齐纳标称Vz。此外，Vz齐纳电压为8.1 V，器件提供8欧姆Zz齐纳阻抗，器件最大阻抗为8欧姆Zzt，工作温度范围为-55°C~150°C，电流反向泄漏Vr为500nA@5V，最大功率为500mW，Ir反向电流为500 nA，Pd功耗为500 mW，电压容差为3%，封装外壳为2-SMD，扁平引线，齐纳电流为20 mA，最大工作温度范围为+150 C。
