9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TFZGTR2.4B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TFZGTR2.4B参考价格为0.212072美元。Rohm Semiconductor TFZGTR2.4B封装/规格：DIODE ZENER 2.4V 500MW TUMD2。您可以下载TFZGTR2.4B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如TFZGTR2.4B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
TFZGTR16B是DIODE ZENER 16V 500MW TUMD2，包括TFZ16B系列，它们设计用于齐纳二极管产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TUMD2，该设备为单配置，该设备最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为16V，阻抗最大Zzt为18欧姆，电流反向泄漏Vr为200nA@12V，Pd功耗为500mW。其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vz齐纳电压为16.04 V，电压容差为3%，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为18欧姆，Ir反向电流为200 nA。
TFZGTR18B是DIODE ZENER 18V 500MW TUMD2，包括23欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在10 mA齐纳电流下工作，数据表注释中显示了用于17.7 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如18V，电压容差设计为工作在3%，以及TUMD2供应商设备包，该装置也可以用作TFZ18B系列。此外，该产品为齐纳二极管，该器件的最大功率为500mW，该器件具有500mW的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为200 nA，阻抗最大Zzt为23 Ohm，电流反向泄漏Vr为200nA@13V，配置为单一。
TFZGTR15B是DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2，包括单一配置，它们设计为在200nA@11V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于16欧姆，提供Ir反向电流功能，如0.2 uA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有2-SMD扁平引线封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；产品为齐纳二极管，系列为TFZ15B，供应商设备封装为TUMD2，电压齐纳标称Vz为15V，Vz齐纳电压为14.62V，齐纳电流为10mA，Zz齐纳阻抗为16欧姆。
