9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TFZGTR33B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TFZGTR33B参考价格为0.264美元。Rohm Semiconductor TFZGTR33B封装/规格：DIODE ZENER 33V 500MW TUMD2。您可以下载TFZGTR33B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如TFZGTR33B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
TFZGTR3.6B是DIODE ZENER 3.6V 500MW TUMD2，包括TFZ3.6B系列，它们设计用于齐纳二极管产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TUMD2，该设备为单配置，该设备最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为3.6V，阻抗最大Zzt为60欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vz齐纳电压为3.845 V，电压容差为3%，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为60欧姆，Ir反向电流为10 uA。
TFZGTR30B是DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2，包括55欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在5 mA齐纳电流下工作，数据表注释中显示了用于29.13 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如30V，电压容差设计为工作在3%，以及TUMD2供应商设备包，该装置也可以用作TFZ30B系列。此外，该产品为齐纳二极管，该器件的最大功率为500mW，该器件具有500mW的Pd功耗，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，它的最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为200 nA，阻抗最大Zzt为55 Ohm，电流反向泄漏Vr为200nA@23V，配置为单一。
TFZGTR3.9B是DIODE ZENER 3.9V 500MW TUMD2，包括单一配置，它们设计为在5μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于50欧姆，提供Ir反向电流功能，如5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用2-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为TFZ3.9B，供应商器件封装为TUMD2，电压容差为3%，电压齐纳标称Vz为3.9V，Vz齐纳电压为4.1V，齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆。
