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DZ2J033M0L是DIODE ZENER 3.3V 200MW SMINI2，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于SMD/SMT安装方式，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，具有1.25mm等宽度特性，包装箱设计用于SC-90、SOD-323F，工作温度范围为150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMini2-F5-B，该设备为单配置，该设备具有±2.5%的容差，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为3.3V，阻抗最大Zzt为130欧姆，电流反向泄漏Vr为20μa@1V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，Pd功耗为200mW，它的最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压为1 V（10 mA），Vz齐纳电压为3.3 V，电压容差为5%，电压温度系数为-2.1 mV/C，Zz齐纳阻抗为130欧姆，Ir反向电流为20 uA。
DZ2J03300L是DIODE ZENER 3.3V 200MW SMINI2，包括130欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.25 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于3.3V，提供电压齐纳标称Vz特性，如3.3V，电压容差设计工作在5%，以及-2.1mV/C电压温度系数，该器件也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该器件的容差为±5%，该器件具有供应商器件封装的SMini2-F5-B，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90、SOD-323F，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为20 uA，阻抗最大Zzt为130 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为20μA@1V，配置为单一。
DZ2J030M0L是DIODE ZENER 3V 200MW SMINI2，包括单一配置，它们设计为在50μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.7mm，提供阻抗最大Zzt特性，如120欧姆，Ir反向电流设计为在50uA下工作，其最大工作温度范围为+150℃，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用SC-90、SOD-323F封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200mW，最大功率为200mW；供应商器件封装为SMini2-F5-B，公差为±5%，10mA时Vf正向电压为1 V，10mA下电压正向Vf Max If为1V，电压温度系数为-2mV/C，电压容差为2.5%，电压齐纳标称Vz为3V，Vz齐纳电压为3V、宽度为1.25mm，Zz齐纳阻抗为120欧姆。
