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DZ2S091M0L是DIODE ZENER 9.1V 150MW SSMINI2，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，高度如数据表注释所示，用于0.6mm，提供0.8mm等宽度特性，包装箱设计用于SC-79、SOD-523以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SSMini2-F5-B供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供±5%的容差，该设备最大功率为150mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大值Zzt为20欧姆，反向电流泄漏Vr为100nA@6V，正向电压Vf最大值If为1V@10mA，Pd功耗为150 mW，其最大工作温度范围为+150 C，Vf正向电压在10mA时为1V，Vz齐纳电压为9.1V，电压容差为2.5%，电压温度系数为5.8mV/C，Zz齐纳阻抗为20欧姆，Ir反向电流为100nA。
DZ2S09100L是DIODE ZENER 9.1V 150MW SSMINI2，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为0.8mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于9.1 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如9.1V，电压容差设计工作在5%，以及5.8 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作1V@10mA电压正向Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为1 V，该设备的容差为±5%，该设备具有供应商设备包的SSMini2-F5-B，功率最大值为150mW，Pd功耗为150mW。包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SC-79、SOD-523、，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为20 Ohm，高度为0.6 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@6V，配置为单一。
DZ2S10000L是DIODE ZENER 10V 150MW SSMINI2，包括单一配置，它们设计为在50nA@7V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于0.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，例如30欧姆，Ir反向电流设计为在50 nA下工作，其最大工作温度范围为+150 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件采用SC-79、SOD-523封装盒，该器件具有Digi-ReelR替代封装，Pd功耗为150mW，最大功率为150mW；供应商器件封装为SSMini2-F5-B，公差为±5%，在10mA时Vf正向电压为1 V，正向电压Vf Max If为1V@10mA，电压温度系数为7.2mV/C，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为10V，Vz齐纳电压为10V、宽度为0.8mm，Zz齐纳阻抗为30欧姆。
