9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZM5237C-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZM5237C-GS18参考价格为0.272美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZM5237C-GS18封装/规格：DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80。您可以下载TZM5237C-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZM5237B-GS08是DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001827盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，高度设计为1.5 mm，长度3.5 mm，该装置也可以用作1.5mm宽。此外，包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为3μA@6.5V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为8.2V，电压容差为5%，电压温度系数为0.062%/K，齐纳电流为200mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为3uA。
TZM5237B-GS18是DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在1.5毫米宽的情况下工作，数据表中显示了用于8.2 V的Vz齐纳电压，提供了电压齐纳标称Vz特性，如8.2V，电压容差设计为在5%范围内工作，以及0.062%/K电压温度系数，该设备也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.001827盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有SOD-80 MiniMELF供应商设备包，系列为汽车、AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，工作温度范围为175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.5 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为8欧姆，高度为1.5 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@6.5V，配置为单一。
TZM5236F-GS08，带电路图，包括3μA@6V电流反向泄漏Vr，它们设计为在500欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为175°C，包装箱设计用于DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在SOD-80供应商设备包中提供，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为7.5V。
TZM5236F-GS18，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于表面安装安装型，数据表说明中显示了SOD-80中使用的供应商设备包，该SOD-80提供了DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80等包装箱功能。该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及7.5V电压齐纳标称Vz，该设备还可以用作500mW最大功率。此外，阻抗最大Zzt为500欧姆，该设备提供3μA@6V电流反向泄漏Vr，其工作温度范围为175°C，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA。
