9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TFZGTR9.1B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TFZGTR9.1B参考价格为0.44美元。Rohm Semiconductor TFZGTR9.1B封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW TUMD2。您可以下载TFZGTR9.1B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TFZGTR7.5B是DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2，包括TFZ7.5B系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如2-SMD、扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TUMD2供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为500mW，该设备电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大Zzt为8欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@4V，Pd功耗为500mW。该设备的最高工作温度范围为+150 C，Vz齐纳电压为7.4 V，电压容差为3%，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆，Ir反向电流为500nA。
TFZGTR6.8B是DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2，包括8欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于20 mA齐纳电流，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于6.8 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如6.8V，电压容差设计为3%，以及TUMD2供应商设备包，该装置也可以用作TFZ6.8B系列。此外，最大功率为500mW，该器件提供500mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大工作温度范围+150°C，Ir反向电流为2 uA，阻抗最大Zzt为8 Ohm，电流反向泄漏Vr为2μA@3.5V，配置为单一。
TFZGTR8.2B是DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2，包括单一配置，它们设计为在500nA@5V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于8欧姆，提供Ir反向电流功能，如500nA，其最大工作温度范围为+150℃，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用2-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为TFZ8.2B，供应商器件封装为TUMD2，电压容差为3%，电压齐纳标称Vz为8.2V，Vz齐纳电压为8.1V，齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为8欧姆。
