9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TFZGTR36B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TFZGTR36B参考价格为1.592美元。Rohm Semiconductor TFZGTR36B封装/规格：DIODE ZENER 36V 500MW TUMD2。您可以下载TFZGTR36B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TFZGTR30B是DIODE ZENER 30V 500MW TUMD2，包括TFZ30B系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TUMD2，该设备为单配置，该设备最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为30V，阻抗最大Zzt为55欧姆，电流反向泄漏Vr为200nA@23V，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vz齐纳电压为29.13 V，电压容差为3%，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为55欧姆，Ir反向电流为200 nA。
TFZGTR33B是DIODE ZENER 33V 500MW TUMD2，包括65欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在5 mA齐纳电流下工作，数据表注释中显示了用于31.8 V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如33V，电压容差设计为工作在3%，以及TUMD2供应商设备包，该装置也可以用作TFZ33B系列。此外，最大功率为500mW，该器件提供500mW Pd功耗，该器件具有封装带和卷轴（TR），封装盒为2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围是+150°C，Ir反向电流为200nA，阻抗最大Zzt为65欧姆，电流反向泄漏Vr为200nA@25V，配置为单一。
TFZGTR3.9B是DIODE ZENER 3.9V 500MW TUMD2，包括单一配置，它们设计为在5μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于50欧姆，提供Ir反向电流功能，如5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，以及表面安装安装类型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用2-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为TFZ3.9B，供应商器件封装为TUMD2，电压容差为3%，电压齐纳标称Vz为3.9V，Vz齐纳电压为4.1V，齐纳电流为20mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆。
