- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通状态电阻:RDS(导通)1=130 mMAX。(VGS=–10 V,ID=–6 A)RDS(开启)2=190 mMAX。(VGS=–4.0 V,ID=–6 A)•低Cis:Cis=720 pF典型值。•内置栅极保护二极管•TO-251/TO-252封装
起订量: 245
数量 | 单价 | 合计 |
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245+ | 8.90876 | 2182.64791 |
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•低导通状态电阻:RDS(导通)1=130 mMAX。(VGS=–10 V,ID=–6 A)RDS(开启)2=190 mMAX。(VGS=–4.0 V,ID=–6 A)•低Cis:Cis=720 pF典型值。•内置栅极保护二极管•TO-251/TO-252封装
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...